ELECTRÓNICA BÁSICA: MATERIALES TIPO N Y P

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MATERIALES TIPO N.

Si la impureza que se agrega permite dar un excedente de electrones, se formará un semiconductor con propiedades tipo N. Los materiales que permiten formar este excedente de electrones son: el Fósforo (P) el Arsénico (As) y el Antimonio (Sb) ya que tienen 5 electrones en su órbita exterior y al formar los enlaces covalentes con el silicio o el germanio que tienen 4 electrones en su órbita exterior, da como resultado un electrón sobrante por cada átomo de impureza que se agregue. Esta sustancia que entregan electrones, se les denomina DONADORES.

En la figura #1 se puede apreciar un circulo señalado en color azul que representa al electrón adicional el cual no hace parte de la unión covalente.

materiales tipo N
FIGURA 1. Materiales tipo N

MATERIALES TIPO P.

Si la impureza que se agrega da como resultado un faltante de electrones, se formará un semiconductor con propiedades tipo P. A la impureza que entra a formar los enlaces covalentes y que permite un faltante de electrones, se le llama ACEPTADORA. Los materiales que pueden aceptar electrones son el Indio (In), el Boro (B) y el Aluminio (Al) debido a que cada uno posee 3 electrones en su órbita exterior y al formar los enlaces covalentes, con el silicio y el germanio que tienen 4 electrones en su órbita exterior, da como resultado un faltante de un electrón por cada átomo de impureza. A este faltante de electrones se le denomina LAGUNAS o HUECOS.

El electrón hueco es el señalado en color negro para la figura #2

materiales tipo p
Figura 2. Materiales tipo P

FLUJO DE CORRIENTE (HUECOS Y ELECTRONES).

Si a los terminales de un semiconductor tipo N, se le aplica una tensión en la forma indicada en la figura 3, tendríamos una corriente de electrones, los cuales irían de negativo (-) a positivo (+), tanto externamente como en el interior del cristal.

semiconductor tipo N
Figura 3. Flujo de electrones en semiconductor tipo N

 

Ahora, si a los terminales de un semiconductor tipo P, se le aplica un voltaje como lo indica la figura 4, se obtendría una corriente de huecos, los cuales irían del polo positivo (+) al polo negativo (-) en el interior del cristal y externamente será una corriente de electrones que iría del negativo (-) al positivo (+)

 

Figura 4. Flujo de electrones en semiconductores tipo P.

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